KATEGORIE
Zpět k nákupu
SAMSUNG 9100 PRO 4TB SSD / M.2 2280 / PCIe 5.0 x4 NVMe / Interní
SAMSUNG 9100 PRO 4TB SSD / M.2 2280 / PCIe 5.0 x4 NVMe / Interní
13801 Kč
11406 Kč bez DPH
Dostupnost: Skladem v eshopu 🛈
Part no.: MZ-VAP4T0BW
Kód produktu: 25495321
Výrobce: SAMSUNG
Váha: 0,009 kg
Záruka: 60 měsíců
Popis produktu
Kapacita 4000GB; formát M.2; čtecí rychlost až 14800 MB/sec; zapisovací rychlost až 13400 MB/sec"
Kapacita: 4000 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být menší (kvůli formátování, rozdělení, operačnímu systému, aplikacím apod.)
Provedení: M.2 (2280)
Rozhraní: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Rozměry (ŠxVxH): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
Hmotnost: Max. 9,0 g
Úložiště: Samsung V-NAND TLC
Řadič: Samsung in-house Controller
Mezipaměť: Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Speciální funkce
Podpora TRIM: Podporováno
Podpora S.M.A.R.T: Podporováno
GC (Garbage Collection): Algoritmus automatického sběru odpadu
Podpora šifrování: 256bitové šifrování AES (třída 0) TCG / Opal IEEE1667 (šifrovaná jednotka)
Podpora WWN: Není podporováno
Podpora režimu spánku zařízení: Ano
Výkon
Sekvenční čtení: až 14800 MB/s * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Sekvenční zápis: Až 13400 MB/s * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Náhodné čtení (4KB, QD32): Až 2 200 000 IOPS * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Náhodný zápis (4KB, QD32): Až 2 600 000 IOPS * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Popis produktu
Samsung 9100 PRO 4000GBKapacita 4000GB; formát M.2; čtecí rychlost až 14800 MB/sec; zapisovací rychlost až 13400 MB/sec"
Kapacita: 4000 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být menší (kvůli formátování, rozdělení, operačnímu systému, aplikacím apod.)
Provedení: M.2 (2280)
Rozhraní: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
Rozměry (ŠxVxH): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm)
Hmotnost: Max. 9,0 g
Úložiště: Samsung V-NAND TLC
Řadič: Samsung in-house Controller
Mezipaměť: Samsung 4GB Low Power DDR4X SDRAM
Speciální funkce
Podpora TRIM: Podporováno
Podpora S.M.A.R.T: Podporováno
GC (Garbage Collection): Algoritmus automatického sběru odpadu
Podpora šifrování: 256bitové šifrování AES (třída 0) TCG / Opal IEEE1667 (šifrovaná jednotka)
Podpora WWN: Není podporováno
Podpora režimu spánku zařízení: Ano
Výkon
Sekvenční čtení: až 14800 MB/s * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Sekvenční zápis: Až 13400 MB/s * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Náhodné čtení (4KB, QD32): Až 2 200 000 IOPS * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Náhodný zápis (4KB, QD32): Až 2 600 000 IOPS * Výkon se může lišit v závislosti na hardwaru a konfiguraci systému
Přes veškerou snahu zajistit co nejpřesnější popis, obrázky a technické parametry produktů nemůžeme zaručit, že uváděná data odpovídají skutečnosti. Řada výrobců si vyhrazuje právo změny některých parametrů či vlastností bez předchozího upozornění. Potřebujete-li ujištění o určitých parametrech produktu nebo v případě pochybností, kontaktujte prosím svého obchodníka. Pozdější reklamace vlastností je zbytečnou komplikací pro obě strany.
